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  • 可控硅過流產生的原因及保護方法

    可控硅過流產生的原因及保護方法2022/08/18

    晶閘管產生過電流的原因是多方面的,如果變換器的內部部件損壞、控制或觸發系統故障、可逆傳輸循環過大或逆變故障、交流電壓過高、過低或缺相、負載過載等,都會導致裝置中···... [查看詳情]

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  • 可控硅過流產生的原因及保護方法

    可控硅過流產生的原因及保護方法2022/08/18

    晶閘管產生過電流的原因是多方面的,如果變換器的內部部件損壞、控制或觸發系統故障、可逆傳輸循環過大或逆變故障、交流電壓過高、過低或缺相、負載過載等,都會導致裝置中···... [查看詳情]

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  • 可控硅過電流的原因及保護方法

    可控硅過電流的原因及保護方法2022/08/17

    產生過電流的原因進行多種形式多樣,當變流裝置公司內部結構元件損壞、控制或觸發信息系統可以發生一些故障、可逆傳動環流過大或逆變失敗、交流電壓過高、過低或缺相、負載···... [查看詳情]

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  • 可控硅過電流的原因及保護方法

    可控硅過電流的原因及保護方法2022/08/17

    產生過電流的原因進行多種形式多樣,當變流裝置公司內部結構元件損壞、控制或觸發信息系統可以發生一些故障、可逆傳動環流過大或逆變失敗、交流電壓過高、過低或缺相、負載···... [查看詳情]

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  • 可控硅規格的選取方法

    可控硅規格的選取方法2022/08/16

    可控硅設備管理通常都是非正弦電流,可控硅普遍發展存在導通角的問題進行而且工作負荷電流有一定的波動性和不穩定影響因素,且可控硅芯片抗電流沖擊能力水平比較差,在選取···... [查看詳情]

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  • 可控硅規格的選取方法

    可控硅規格的選取方法2022/08/16

    可控硅設備管理通常都是非正弦電流,可控硅普遍發展存在導通角的問題進行而且工作負荷電流有一定的波動性和不穩定影響因素,且可控硅芯片抗電流沖擊能力水平比較差,在選取···... [查看詳情]

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